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讲座报告

betway必威国际青年学者学术论坛讲座预告

作者: 时间:2022-04-19 点击数:

会议时间:2022年4月20日(周三)14:00—16:00

参会人员:betway必威国际科研团队全体教师,并欢迎广大师生参加。

会议形式:腾讯会议:128-314-813

会议简介:

报告1:脱合金化制备永磁纳米多孔材料及其性能研究

报告人:马殿国

报告时间:14:00-15:00

内容简介:纳米多孔金属(Nanoporous metals, NPMs)是由三维双连续的纳米孔隙和金属韧带组成的新型功能材料。这类材料结合了高比表面积和纳米金属特有的物理和化学性质,显示出优异的催化、光学等功能特性。软磁性纳米多孔金属在磁分离、药物输运等生物技术领域具有潜在应用,而永磁性纳米多孔金属既可作为吸附、过滤材料用于流体环境中重金属磁性元素的分拣和过滤,也可用于制备磁性纳米复合材料。因此,制备永磁性纳米多孔合金并研究它们的结构与性能具有重要意义。

报告2:Hf离子掺杂对ZTO TFTs的缺陷态抑制及稳定性的提升研究

报告人:黄传鑫

报告时间:15:00-16:00

内容简介:氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)因具有较高的光透过率和场效应迁移率、较低的制备温度和大面积均匀等优点,在大尺寸高清平板显示及互补性金属氧化物半导体(CMOS)电路方面具有广泛的应用前景。当前,稳定性问题已经成为制约氧化物TFT商业化应用的瓶颈技术难题,而缺陷态问题是影响TFT稳定性的主要因素。因此本研究采用双靶磁控共溅射系统制备了新材料HZTO薄膜。研究了Hf掺杂量对HZTO薄膜结构,表面形貌,化学组成,光学和电学性能的影响。另外,我们制备了基于ALD Al2O3绝缘层的HZTO-TFT。随着Hf掺杂量的增加,Al2O3绝缘层和HZTO薄膜之间的界面缺陷态密度变少。而且,Hf掺杂量对TFT的电学性质和偏压稳定性有重要影响。虽然迁移率随着Hf掺杂量的增加而降低,但稳定性明显提高,本研究为氧化物TFT稳定性的提升提供了新的方向。

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2022年4月20日

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